您的位置 首页 科技

M29W256GL7AN6F闪存M29W256GL70N6E

M29W256GL7AN6F闪存M29W256GL70N6E 美光计划在2020财年下半年开始生产第一代RG节点128层3D NAND,但仅用于生产部分产品;到2021年将会基于第二代RG节点生产,第二代RG节点使得堆叠层数更高,并进一步降低成本。在DRAM方面,基于1Znm技术的LPDDR4 uMCP在移动业务各产品收入中的增长速度最快;美光计划在2020年进一步提高1Znm产品组合占比,提高产品竞争力;此前公布了台湾DRAM工厂扩产(未来可用EUV),计划将于2021年投产。

M29W256GL7AN6F闪存M29W256GL70N6E

美光计划在2020财年下半年开始生产第一代RG节点128层3D NAND,但仅用于生产部分产品;到2021年将会基于第二代RG节点生产,第二代RG节点使得堆叠层数更高,并进一步降低成本。在DRAM方面,基于1Znm技术的LPDDR4 uMCP在移动业务各产品收入中的增长速度最快;美光计划在2020年进一步提高1Znm产品组合占比,提高产品竞争力;此前公布了台湾DRAM工厂扩产(未来可用EUV),计划将于2021年投产。

未来展望:2020年行业需求超过供给

DRAM:美光预计2019年行业DRAM Bit需求增长接近20%,行业供应增长15%;2020年行业DRAM Bit需求增长15%,供给略小于需求。

美光2019年DRAM Bit供应略少于15%;2020年供应要略高于行业供应,长期DRAM Bit出货量复合成长率为15%~19%。NAND Flash:美光预计2019年行业NAND Bit需求增长45%;2020年行业NAND Bit需求增长30%,行业供应要略小于需求。美光2019年NAND Bit出货略少于45%;由于处于技术换挡阶段,2020年供应要低于行业供应,长期NAND Bit出货量复合成长率为30%。

M29W256GL70N6E

M29W256GL70ZA6E

M29W256GL70ZA6F

M29W256GL70ZS6E

M29W256GL70ZS6F

M29W256GL7AN6E

M29W256GL7AN6F

M29W256GL7AZA6E

M29W256GL7AZS6E

M29W256GL7AZS6F

M29W256GSH70ZS6E

M29W256GSH70ZS6F

M29W256GSL70ZS6E

M29W256GSL70ZS6F

M29W320DB70N3E

M29W320DB70N3F

M29W320DB70N6E

M29W320DB70N6F

M29W320DB70ZA3F

M29W320DB70ZE6E

M29W320DB70ZE6F

M29W320DB7AN6E

M29W320DB7AN6F

M29W320DB7AZA6E

M29W320DB7AZA6F

M29W320DB80ZA3E

M29W320DB80ZA3F

M29W320DT70N3E

M29W320DT70N6E

M29W320DT70N6F

M29W320DT70ZE6E

M29W320DT70ZE6F

M29W320DT7AN6F

M29W256GL7AN6F闪存M29W256GL70N6E

本文来自网络,不代表杆子新闻,甘孜新闻,杆子网立场,转载请注明出处:http://www.ganzixinwen.com/8563.html

作者: 杆子新闻

为您推荐

发表评论

邮箱地址不会被公开。

联系我们

联系我们

0898-88881688

在线咨询: QQ交谈

邮箱: liuyc1985@163.com

工作时间:周一至周五,9:00-17:30,节假日休息

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

关注微博
返回顶部